V5 · skúšobná verzia

Infraštruktúra a technológieČipy a výpočty·2 minOdborný rozbor

Samsung plánuje High NA EUV pre DRAM. S ASML pripravuje aj väčšie fotomasky

Spolupráca cieli na jemnejšie vzory a produktivitu výroby. Zavedenie do veľkoobjemovej výroby pamätí je plánované do roku 2028.

Otvorený zostavený litografický systém TWINSCAN EXE:5000; fotografia ASML.
Otvorený zostavený litografický systém TWINSCAN EXE:5000; fotografia ASML. ASML

Jemnejší vzor potrebuje presnejšiu optiku

Samsung a ASML v septembri oznámili rozšírenie spolupráce pri pokročilej litografii. Samsung plánuje zaviesť High NA EUV do veľkoobjemovej výroby DRAM do roku 2028. Ide o plánovaný výrobný míľnik, nie o potvrdenie, že všetky dnešné pamäte už vznikajú týmto postupom.

Litografia prenáša vzor cez optický systém na vrstvu citlivú na svetlo. Pri zmenšovaní štruktúr sa zvyšujú nároky na rozlíšenie a presnosť jednotlivých krokov. Nový systém má pomôcť vytvárať jemnejšie vzory s menším počtom opakovaných expozícií tam, kde je takýto postup vhodný.

Čo sa mení pri High NA

Technický výklad ASML opisuje zvýšenie numerickej apertúry z 0,33 na 0,55. Táto hodnota charakterizuje schopnosť optiky zachytiť a sústrediť svetlo. High NA pritom naďalej používa extrémne ultrafialové žiarenie; zmena nespočíva iba v novom názve existujúceho zariadenia.

Systém potrebuje upravenú optiku a súvisiace výrobné postupy. Preto nestačí kúpiť skener a predpokladať rovnaké správanie každej vrstvy čipu. Súčasťou zavádzania je overenie masiek, materiálov, procesných okien a zladenia s ďalšími operáciami vo výrobe.

Výroba čipu pozostáva z mnohých vrstiev a krokov. Pokročilejšia litografia sa môže zavádzať len tam, kde prináša technický alebo ekonomický prínos. Nie každá vrstva preto musí používať rovnaký skener. Pri posudzovaní novinky je užitočné vedieť, či výrobca oznamuje skúšobnú expozíciu, kvalifikovaný proces alebo skutočnú veľkoobjemovú výrobu.

Prečo partneri riešia aj veľkosť masky

Samsung a ASML zároveň opisujú spoluprácu na prechode zo šesťpalcových na dvanásťpalcové fotomasky. Väčší formát má v budúcnosti pomôcť produktivite a obmedziť potrebu spájania častí vzoru. Vyžaduje však aj nové podporné technológie a infraštruktúru, nejde o jednoduché zväčšenie existujúcej šablóny.

Pre používateľa AI systémov je význam nepriamy: pokrok výroby umožňuje ďalšie generácie pamätí a logických čipov. Z oznámenia však nemožno vypočítať cenu budúceho modulu ani garantovať jeho dostupnosť. Podstatný je konkrétny technologický smer a časový plán. Úspech sa ukáže až pri zvládnutej výťažnosti a stabilnej sériovej výrobe, nie samotným podpisom spolupráce.

Technický kontext

Stav overenia: Spracované podľa zdroja; redakcia postup nereprodukovala.

Verzie: Zdroj neuvádza konkrétne verzie.

Podmienky použitia: Použitie závisí od konkrétnej konfigurácie a dokumentácie uvedenej v zdrojoch.

Obmedzenia: Redakcia nereprodukovala testy dodávateľov; staršie udalosti sú v texte datované.

Zdroje

  1. Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturing – Samsung Global Newsroom ↗
  2. 5 things you should know about High NA EUV lithography ↗